Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour la charge à forte intensité

Transistor MOSFET de puissance de JY4P7M P Channel Enhancement Mode pour des applications à forte intensité de charge

Description générale

Dans des applications à forte intensité de charge, le JY4P7M s'avère être un dispositif extrêmement fiable et efficace. Il réalise une densité élevée de cellules et la réduit au minimum effectivement sur la résistance de ‐ par l'utilisation des techniques de traitement tranchantes de fossé. En plus, le dispositif comporte la basse charge de porte, augmentant plus loin son performance.ents.  Obtenez plus de détails cliquent sur svp ici.

Caractéristique

●‐ 70A, ‐ 10V du ‐ 40V/du RDS (DESSUS) ≤10mΩ@VGS=
●Conception à haute densité de cellules pour Rdson très réduit
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique

Applications

●Commutateur de charge dans des applications à forte intensité
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur

PIN Description

Contour du paquet TO252

Images