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conducteur compatible de commutateur de transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc de logique de 450mA 850mA 3.3V haut

conducteur compatible de commutateur de transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc de logique de 450mA 850mA 3.3V haut

Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY21L
Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte:
5.5V à 20V
La source de sortie/descendent la capacité actuelle:
450mA/850mA
Approvisionnement de flottement de côté élevé:
-0.3-150V
Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur:
-0.3-25V
Grande vitesse:
oui
Couleur:
NOIR
Mettre en évidence:

haut conducteur de transistor MOSFET de canal du côté n

,

haut transistor MOSFET de canal du côté n

,

Haut transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc

Description du produit

Conducteur de côté de ciel et terre de JY21L, haute tension, conducteur à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés sur le processus de P-SUB P-EPI.

 

Description générale
Le produit est un conducteur à haute tension et à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basé dessus
Processus de P-SUB P-EPI. Le conducteur de canal de flottement peut être employé pour conduire le N-canal deux
transistor MOSFET ou IGBT de puissance indépendamment qui fonctionnent jusqu'à 150V. Les entrées de logique sont
compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique 3.3V. La sortie
les conducteurs comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix minimum de conducteur
conduction. Des retards de propagation sont assortis pour simplifier l'utilisation dans la haute fréquence
applications.


Caractéristiques
logique 3.3V compatible
●Complètement opérationnel à +150V
●Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
●Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 5.5V à 20V
●Capacité actuelle 450mA/850mA de source/évier de sortie
●Entrée indépendante de logique pour adapter à toutes les topologies
●-5V négatif contre la capacité
●Retard de propagation assorti pour les deux canaux


Applications
Conducteur de transistor MOSFET ou d'IGBT de puissance
●Petit et de capacité moyenne conducteur de moteur
 

conducteur compatible de commutateur de transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc de logique de 450mA 850mA 3.3V haut 0

 

Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1 VCC Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur
2 HIN Entrée de logique pour la sortie latérale élevée de conducteur de porte (HO)
3 LIN Entrée de logique pour la basse sortie latérale de conducteur de porte (LO)
4 COM La terre
5 LO Basse sortie latérale d'entraînement de porte, dans la phase avec LIN
6 CONTRE Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé ou retour d'amorce
7 HO Sortie latérale élevée d'entraînement de porte, dans la phase avec HIN
8 VB Approvisionnement de flottement de côté élevé


Capacités absolues

Symbole Définition Mn. MAXIMUM. Unités
VB Approvisionnement de flottement de côté élevé -0,3 150 V
CONTRE Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé VB-20 VB +0,3
VHO Sortie latérale élevée d'entraînement de porte VS-0.3 VB +0,3
VCC Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur -0,3 25
VLO Basse sortie latérale d'entraînement de porte -0,3 VCC +0,3
VIN Entrée de logique de HIN&LIN -0,3 VCC +0,3
ESD Modèle de HBM 2500 V
Modèle de machine 200 V
Palladium Dissipation de puissance de paquet @TA≤25ºC 0,63 W
RthJA Jonction de résistance thermique à ambiant 200 ºC/W
TJ La température de jonction 150 ºC
SOLIDES TOTAUX Température de stockage -55 150
TL La température d'avance 300


Note : Le dépassement de ces estimations peut endommager le dispositif

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY21L

conducteur compatible de commutateur de transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc de logique de 450mA 850mA 3.3V haut 1JY21L.pdf

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conducteur compatible de commutateur de transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc de logique de 450mA 850mA 3.3V haut
Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY21L
Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte:
5.5V à 20V
La source de sortie/descendent la capacité actuelle:
450mA/850mA
Approvisionnement de flottement de côté élevé:
-0.3-150V
Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur:
-0.3-25V
Grande vitesse:
oui
Couleur:
NOIR
Quantité de commande min:
1 ensemble
Prix:
negotiable
Détails d'emballage:
CARTON DU PE BAG+
Délai de livraison:
5-10 jours
Conditions de paiement:
T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
1000sets/day
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haut conducteur de transistor MOSFET de canal du côté n

,

haut transistor MOSFET de canal du côté n

,

Haut transistor MOSFET de la Manche du côté N de Bldc

Description du produit

Conducteur de côté de ciel et terre de JY21L, haute tension, conducteur à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basés sur le processus de P-SUB P-EPI.

 

Description générale
Le produit est un conducteur à haute tension et à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT basé dessus
Processus de P-SUB P-EPI. Le conducteur de canal de flottement peut être employé pour conduire le N-canal deux
transistor MOSFET ou IGBT de puissance indépendamment qui fonctionnent jusqu'à 150V. Les entrées de logique sont
compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique 3.3V. La sortie
les conducteurs comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix minimum de conducteur
conduction. Des retards de propagation sont assortis pour simplifier l'utilisation dans la haute fréquence
applications.


Caractéristiques
logique 3.3V compatible
●Complètement opérationnel à +150V
●Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce
●Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 5.5V à 20V
●Capacité actuelle 450mA/850mA de source/évier de sortie
●Entrée indépendante de logique pour adapter à toutes les topologies
●-5V négatif contre la capacité
●Retard de propagation assorti pour les deux canaux


Applications
Conducteur de transistor MOSFET ou d'IGBT de puissance
●Petit et de capacité moyenne conducteur de moteur
 

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Pin Description

Pin Number Pin Name Pin Function
1 VCC Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur
2 HIN Entrée de logique pour la sortie latérale élevée de conducteur de porte (HO)
3 LIN Entrée de logique pour la basse sortie latérale de conducteur de porte (LO)
4 COM La terre
5 LO Basse sortie latérale d'entraînement de porte, dans la phase avec LIN
6 CONTRE Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé ou retour d'amorce
7 HO Sortie latérale élevée d'entraînement de porte, dans la phase avec HIN
8 VB Approvisionnement de flottement de côté élevé


Capacités absolues

Symbole Définition Mn. MAXIMUM. Unités
VB Approvisionnement de flottement de côté élevé -0,3 150 V
CONTRE Retour de flottement d'approvisionnement de côté élevé VB-20 VB +0,3
VHO Sortie latérale élevée d'entraînement de porte VS-0.3 VB +0,3
VCC Approvisionnement de bas côté et d'alimentation secteur -0,3 25
VLO Basse sortie latérale d'entraînement de porte -0,3 VCC +0,3
VIN Entrée de logique de HIN&LIN -0,3 VCC +0,3
ESD Modèle de HBM 2500 V
Modèle de machine 200 V
Palladium Dissipation de puissance de paquet @TA≤25ºC 0,63 W
RthJA Jonction de résistance thermique à ambiant 200 ºC/W
TJ La température de jonction 150 ºC
SOLIDES TOTAUX Température de stockage -55 150
TL La température d'avance 300


Note : Le dépassement de ces estimations peut endommager le dispositif

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY21L

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