|
| Nombre De Pièces: | 1 ensemble |
| Prix: | negotiable |
| Emballage Standard: | CARTON DU PE BAG+ |
| Période De Livraison: | 5-10 jours |
| Méthode De Paiement: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacité D'approvisionnement: | 1000sets/day |
JY13M N et transistor MOSFET de la Manche 40V de P pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY13M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
Ce qui peut fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le complémentaire
Des transistors MOSFET peuvent être utilisés dans le H-pont, les inverseurs et d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
| Dispositif | VBR (SAD) | LE RDS (DESSUS) MAX TJ =25ºC | Paquet |
| N-canal | 40V | <30m>GS=10V, ID=12A | TO252-4L |
| <40m>GS=4.5V, ID=8A | |||
| P-canal | -40V | <45m>GS=-10V, ID=-12A | |
| <66m>GS=-4.5V, ID=-8A |
●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide
Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | La Manche de N | La Manche de P | Unité | |
| Vidangez la tension de source | VDSS | 40 | -40 | V | |
| Tension de source de porte | VDSS | ±20 | ±20 | ||
| Continu Vidangez actuel |
Ta=25ºC | Identification | 12 | -12 | |
| Ta=100ºC | 12 | -12 | |||
| Courant pulsé de drain | IDM | 30 | -30 | ||
| Puissance maximum Dissipation |
Ta=25ºC | Palladium | 2 | W | |
| Ta=70ºC | 1,3 | ||||
| Jonction et stockage Température ambiante |
TJ TSTG | -55 à 150 | ºC | ||
| Résistance thermique Jonction à ambiant |
RθJA | 10s | 25 | ºC/W | |
| Régulier | 60 | ||||
| Résistance thermique Jonction à enfermer |
RθJC | 5,5 | 5 | ºC/W |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité | |
| Charge statique | |||||||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | N-ch | 1,7 | 2,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA | P-ch | -1,7 | -2 | -3,0 | |||
| IGSS | Fuite de porte Actuel |
VDS =0V, VGS =±20V | N-ch | ±100 | Na | ||
| P-ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =40V, VGS =0V | N-ch | 1 | uA | ||
| VDS =-40V, VGS =0V | P-ch | -1 | |||||
| IDENTIFICATION (DESSUS) | Drain de Sur-état Actuel |
VDS =5V, VGS =10V | N-ch | 30 | |||
| VDS =-5V, VGS =-10V | P-ch | -30 | |||||
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source Sur-état Résistance |
VGS =10V, IDENTIFICATION =12A | N-ch | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICATION =-12A | P-ch | 36 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =8A | N-ch | 31 | 40 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-8A | P-ch | 51 | 66 | ||||
| VSD | Diode en avant Tension |
EST =1.0A, VGS =0V | N-ch | 0,76 | 1,0 | V | |
| EST =-1.0A, VGS =0V | P-ch | -0,76 | -1,0 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY13M
Vidéo
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| Nombre De Pièces: | 1 ensemble |
| Prix: | negotiable |
| Emballage Standard: | CARTON DU PE BAG+ |
| Période De Livraison: | 5-10 jours |
| Méthode De Paiement: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacité D'approvisionnement: | 1000sets/day |
JY13M N et transistor MOSFET de la Manche 40V de P pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY13M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
Ce qui peut fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le complémentaire
Des transistors MOSFET peuvent être utilisés dans le H-pont, les inverseurs et d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
| Dispositif | VBR (SAD) | LE RDS (DESSUS) MAX TJ =25ºC | Paquet |
| N-canal | 40V | <30m>GS=10V, ID=12A | TO252-4L |
| <40m>GS=4.5V, ID=8A | |||
| P-canal | -40V | <45m>GS=-10V, ID=-12A | |
| <66m>GS=-4.5V, ID=-8A |
●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide
Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Paramètre | Symbole | La Manche de N | La Manche de P | Unité | |
| Vidangez la tension de source | VDSS | 40 | -40 | V | |
| Tension de source de porte | VDSS | ±20 | ±20 | ||
| Continu Vidangez actuel |
Ta=25ºC | Identification | 12 | -12 | |
| Ta=100ºC | 12 | -12 | |||
| Courant pulsé de drain | IDM | 30 | -30 | ||
| Puissance maximum Dissipation |
Ta=25ºC | Palladium | 2 | W | |
| Ta=70ºC | 1,3 | ||||
| Jonction et stockage Température ambiante |
TJ TSTG | -55 à 150 | ºC | ||
| Résistance thermique Jonction à ambiant |
RθJA | 10s | 25 | ºC/W | |
| Régulier | 60 | ||||
| Résistance thermique Jonction à enfermer |
RθJC | 5,5 | 5 | ºC/W |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité | |
| Charge statique | |||||||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA | N-ch | 1,7 | 2,5 | 3,0 | V |
| VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA | P-ch | -1,7 | -2 | -3,0 | |||
| IGSS | Fuite de porte Actuel |
VDS =0V, VGS =±20V | N-ch | ±100 | Na | ||
| P-ch | ±100 | ||||||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =40V, VGS =0V | N-ch | 1 | uA | ||
| VDS =-40V, VGS =0V | P-ch | -1 | |||||
| IDENTIFICATION (DESSUS) | Drain de Sur-état Actuel |
VDS =5V, VGS =10V | N-ch | 30 | |||
| VDS =-5V, VGS =-10V | P-ch | -30 | |||||
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source Sur-état Résistance |
VGS =10V, IDENTIFICATION =12A | N-ch | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS =-10V, IDENTIFICATION =-12A | P-ch | 36 | 45 | ||||
| VGS =4.5V, IDENTIFICATION =8A | N-ch | 31 | 40 | ||||
| VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-8A | P-ch | 51 | 66 | ||||
| VSD | Diode en avant Tension |
EST =1.0A, VGS =0V | N-ch | 0,76 | 1,0 | V | |
| EST =-1.0A, VGS =0V | P-ch | -0,76 | -1,0 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY13M
