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Bâti extérieur N de JY13M 40V et conducteur Ic Chip de transistor MOSFET de puissance de la Manche de P

Bâti extérieur N de JY13M 40V et conducteur Ic Chip de transistor MOSFET de puissance de la Manche de P

Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY13M
Tension de Drain-source:
40 V
tension de Porte-source:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
2W
Courant pulsé de drain:
30A
Vitesse de changement rapide:
oui
Forme:
Place
Mettre en évidence:

conducteur IC de transistor MOSFET de canal de p

,

transistor MOSFET de conducteur d'IC

,

puce de conducteur de transistor MOSFET

Description du produit

JY13M N et transistor MOSFET de la Manche 40V de P pour le conducteur de moteur de BLDC


DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY13M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
Ce qui peut fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le complémentaire
Des transistors MOSFET peuvent être utilisés dans le H-pont, les inverseurs et d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES

Dispositif VBR (SAD) LE RDS (DESSUS) MAX TJ =25ºC Paquet
N-canal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide

 

Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Paramètre Symbole La Manche de N La Manche de P Unité
Vidangez la tension de source VDSS 40 -40 V
Tension de source de porte VDSS ±20 ±20
Continu
Vidangez actuel
Ta=25ºC Identification 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Courant pulsé de drain IDM 30 -30
Puissance maximum
Dissipation
Ta=25ºC Palladium 2 W
Ta=70ºC 1,3
Jonction et stockage
Température ambiante
TJ TSTG -55 à 150 ºC
Résistance thermique
Jonction à ambiant
RθJA 10s 25 ºC/W
Régulier 60
Résistance thermique
Jonction à enfermer
RθJC 5,5 5 ºC/W


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Charge statique
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA N-ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA P-ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Fuite de porte
Actuel
VDS =0V, VGS =±20V N-ch ±100 Na
P-ch ±100
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez actuel
VDS =40V, VGS =0V N-ch 1 uA
VDS =-40V, VGS =0V P-ch -1
IDENTIFICATION (DESSUS) Drain de Sur-état
Actuel
VDS =5V, VGS =10V N-ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-ch -30
LE RDS (DESSUS) Drain-source
Sur-état
Résistance
VGS =10V, IDENTIFICATION =12A N-ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFICATION =-12A P-ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICATION =8A N-ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-8A P-ch 51 66
VSD Diode en avant
Tension
EST =1.0A, VGS =0V N-ch 0,76 1,0 V
EST =-1.0A, VGS =0V P-ch -0,76 -1,0

 

Bâti extérieur N de JY13M 40V et conducteur Ic Chip de transistor MOSFET de puissance de la Manche de P 0
 

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY13M

Bâti extérieur N de JY13M 40V et conducteur Ic Chip de transistor MOSFET de puissance de la Manche de P 1JY13M.pdf

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Bâti extérieur N de JY13M 40V et conducteur Ic Chip de transistor MOSFET de puissance de la Manche de P
Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY13M
Tension de Drain-source:
40 V
tension de Porte-source:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
2W
Courant pulsé de drain:
30A
Vitesse de changement rapide:
oui
Forme:
Place
Quantité de commande min:
1 ensemble
Prix:
negotiable
Détails d'emballage:
CARTON DU PE BAG+
Délai de livraison:
5-10 jours
Conditions de paiement:
T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
1000sets/day
Mettre en évidence

conducteur IC de transistor MOSFET de canal de p

,

transistor MOSFET de conducteur d'IC

,

puce de conducteur de transistor MOSFET

Description du produit

JY13M N et transistor MOSFET de la Manche 40V de P pour le conducteur de moteur de BLDC


DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY13M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
Ce qui peut fournir l'excellent RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le complémentaire
Des transistors MOSFET peuvent être utilisés dans le H-pont, les inverseurs et d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES

Dispositif VBR (SAD) LE RDS (DESSUS) MAX TJ =25ºC Paquet
N-canal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide

 

Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Paramètre Symbole La Manche de N La Manche de P Unité
Vidangez la tension de source VDSS 40 -40 V
Tension de source de porte VDSS ±20 ±20
Continu
Vidangez actuel
Ta=25ºC Identification 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Courant pulsé de drain IDM 30 -30
Puissance maximum
Dissipation
Ta=25ºC Palladium 2 W
Ta=70ºC 1,3
Jonction et stockage
Température ambiante
TJ TSTG -55 à 150 ºC
Résistance thermique
Jonction à ambiant
RθJA 10s 25 ºC/W
Régulier 60
Résistance thermique
Jonction à enfermer
RθJC 5,5 5 ºC/W


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Charge statique
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA N-ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA P-ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Fuite de porte
Actuel
VDS =0V, VGS =±20V N-ch ±100 Na
P-ch ±100
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez actuel
VDS =40V, VGS =0V N-ch 1 uA
VDS =-40V, VGS =0V P-ch -1
IDENTIFICATION (DESSUS) Drain de Sur-état
Actuel
VDS =5V, VGS =10V N-ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-ch -30
LE RDS (DESSUS) Drain-source
Sur-état
Résistance
VGS =10V, IDENTIFICATION =12A N-ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFICATION =-12A P-ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICATION =8A N-ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-8A P-ch 51 66
VSD Diode en avant
Tension
EST =1.0A, VGS =0V N-ch 0,76 1,0 V
EST =-1.0A, VGS =0V P-ch -0,76 -1,0

 

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MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY13M

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