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Détails sur le produit:
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| Tension de Drain-source: | 600 V | tension de Porte-source: | ±30V |
|---|---|---|---|
| Dissipation de puissance maximum: | 33W | Courant pulsé de drain: | 16A |
| Application: | Allumage | Forme: | Place |
| Surligner: | transistor MOSFET de puissance de canal de n,commutateur latéral élevé de transistor MOSFET de canal de n,contrôleur de moteur de transistor MOSFET de puissance |
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Paquet de JY16M N Channel 600V TO220F-3
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●600V/4A, LE RDS (DESSUS) =2.6Ω@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Éclairage
●Alimentations d'énergie de mode de commutateur de rendement élevé
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Estimation | Unité | |
| VDS | Tension de Drain-source | 600 | V | |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 30 | V | |
| Identification | Drain continu Actuel |
Tc=25ºC | 4 | |
| Tc=100ºC | 2,9 | |||
| IDM | Courant pulsé de drain | 16 | ||
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 33 | W | |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme |
-55 à +150 | ºC | |
| RθJC | Résistance-jonction thermique à enfermer | 1,5 | ºC/W | |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques | ||||||
| BVDSS | Drain-source Tension claque |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 600 | V | ||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =600V, VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel |
=± 30V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état |
VGS =10V, IDENTIFICATION =4A | 2,6 | 2,8 | Ω |
Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| VSD | Diode en avant Tension |
VGS =0V, ISD =2A | 1,5 | V | ||
| Trr | Temps de rétablissement inverse | ISD =4A di/dt=100A/us |
260 | NS | ||
| Qrr | Charge inverse de récupération | 1,5 | OR | |||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| RG | Résistance de porte | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
5 | Ω | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =300V, RG =25Ω, IDENTIFICATION =4A, VGS =10V, |
15 | NS | ||
| TR | Temps de montée d'ouverture | 48 | ||||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | 28 | ||||
| Tf | Temps d'arrêt d'automne | 35 | ||||
| CISS | Capacité d'entrée | VGS =0V, VDS =25V, f=1.0MHz |
528 | PF | ||
| COSS | Capacité de sortie | 72 | ||||
| CRSS | Transfert inverse Capacité |
9 | ||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS =480V, IDENTIFICATION =4A, VGS =10V |
16 | OR | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | 3,5 | ||||
| Qgd | Charge de Porte-drain | 7,1 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY16M
Personne à contacter: Mr. Amigo Deng
Téléphone: +86-18994777701
Télécopieur: 86-519-83606689
