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16A 33W allumant le contrôleur Switch de transistor MOSFET de puissance de la Manche de JUYI N

16A 33W allumant le contrôleur Switch de transistor MOSFET de puissance de la Manche de JUYI N

Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY16M
Tension de Drain-source:
600 V
tension de Porte-source:
±30V
Dissipation de puissance maximum:
33W
Courant pulsé de drain:
16A
Application:
Allumage
Forme:
Place
Mettre en évidence:

transistor MOSFET de puissance de canal de n

,

commutateur latéral élevé de transistor MOSFET de canal de n

,

contrôleur de moteur de transistor MOSFET de puissance

Description du produit

Paquet de JY16M N Channel 600V TO220F-3
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration pour le conducteur de moteur de BLDC

DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES
600V/4A, LE RDS (DESSUS) =2.6Ω@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique


APPLICATIONS
Éclairage
●Alimentations d'énergie de mode de commutateur de rendement élevé
 

Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Estimation Unité
VDS Tension de Drain-source 600 V
VGS Tension de Porte-source ± 30 V
Identification Drain continu
Actuel
Tc=25ºC 4
Tc=100ºC 2,9
IDM Courant pulsé de drain 16
Palladium Dissipation de puissance maximum 33 W
TJ TSTG Jonction et température de stockage fonctionnantes
Gamme
-55 à +150 ºC
RθJC Résistance-jonction thermique à enfermer 1,5 ºC/W
RθJA Résistance-jonction thermique à ambiant 62


Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Caractéristiques statiques
BVDSS Drain-source
Tension claque
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 600 V
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez actuel
VDS =600V, VGS =0V 1 uA
IGSS Fuite de Porte-corps
Actuel
=± 30V, VDS =0V de VGS ± 100 Na
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA 2,0 3,0 4,0 V
LE RDS (DESSUS) Drain-source
résistance de Sur-état
VGS =10V, IDENTIFICATION =4A 2,6 2,8 Ω


Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Caractéristiques de diode de Drain-source
VSD Diode en avant
Tension
VGS =0V, ISD =2A 1,5 V
Trr Temps de rétablissement inverse ISD =4A
di/dt=100A/us
260 NS
Qrr Charge inverse de récupération 1,5 OR
Caractéristiques dynamiques
RG Résistance de porte VGS =0V, VDS =0V,
f=1MHZ
5 Ω
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture VDS =300V,
RG =25Ω,
IDENTIFICATION =4A, VGS =10V,
15 NS
TR Temps de montée d'ouverture 48
Le TD () Temps de retard d'arrêt 28
Tf Temps d'arrêt d'automne 35
CISS Capacité d'entrée VGS =0V,
VDS =25V,
f=1.0MHz
528 PF
COSS Capacité de sortie 72
CRSS Transfert inverse
Capacité
9
Qg Charge totale de porte VDS =480V, IDENTIFICATION =4A,
VGS =10V
16 OR
Qgs Charge de Porte-source 3,5
Qgd Charge de Porte-drain 7,1


 

 

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY16M

16A 33W allumant le contrôleur Switch de transistor MOSFET de puissance de la Manche de JUYI N 0JY16M.pdf

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16A 33W allumant le contrôleur Switch de transistor MOSFET de puissance de la Manche de JUYI N
Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY16M
Tension de Drain-source:
600 V
tension de Porte-source:
±30V
Dissipation de puissance maximum:
33W
Courant pulsé de drain:
16A
Application:
Allumage
Forme:
Place
Quantité de commande min:
1 ensemble
Prix:
negotiable
Détails d'emballage:
CARTON DU PE BAG+
Délai de livraison:
5-10 jours
Conditions de paiement:
T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
1000sets/day
Mettre en évidence

transistor MOSFET de puissance de canal de n

,

commutateur latéral élevé de transistor MOSFET de canal de n

,

contrôleur de moteur de transistor MOSFET de puissance

Description du produit

Paquet de JY16M N Channel 600V TO220F-3
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration pour le conducteur de moteur de BLDC

DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES
600V/4A, LE RDS (DESSUS) =2.6Ω@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique


APPLICATIONS
Éclairage
●Alimentations d'énergie de mode de commutateur de rendement élevé
 

Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Estimation Unité
VDS Tension de Drain-source 600 V
VGS Tension de Porte-source ± 30 V
Identification Drain continu
Actuel
Tc=25ºC 4
Tc=100ºC 2,9
IDM Courant pulsé de drain 16
Palladium Dissipation de puissance maximum 33 W
TJ TSTG Jonction et température de stockage fonctionnantes
Gamme
-55 à +150 ºC
RθJC Résistance-jonction thermique à enfermer 1,5 ºC/W
RθJA Résistance-jonction thermique à ambiant 62


Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Caractéristiques statiques
BVDSS Drain-source
Tension claque
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA 600 V
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez actuel
VDS =600V, VGS =0V 1 uA
IGSS Fuite de Porte-corps
Actuel
=± 30V, VDS =0V de VGS ± 100 Na
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA 2,0 3,0 4,0 V
LE RDS (DESSUS) Drain-source
résistance de Sur-état
VGS =10V, IDENTIFICATION =4A 2,6 2,8 Ω


Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Caractéristiques de diode de Drain-source
VSD Diode en avant
Tension
VGS =0V, ISD =2A 1,5 V
Trr Temps de rétablissement inverse ISD =4A
di/dt=100A/us
260 NS
Qrr Charge inverse de récupération 1,5 OR
Caractéristiques dynamiques
RG Résistance de porte VGS =0V, VDS =0V,
f=1MHZ
5 Ω
Le TD (dessus) Temps de retard d'ouverture VDS =300V,
RG =25Ω,
IDENTIFICATION =4A, VGS =10V,
15 NS
TR Temps de montée d'ouverture 48
Le TD () Temps de retard d'arrêt 28
Tf Temps d'arrêt d'automne 35
CISS Capacité d'entrée VGS =0V,
VDS =25V,
f=1.0MHz
528 PF
COSS Capacité de sortie 72
CRSS Transfert inverse
Capacité
9
Qg Charge totale de porte VDS =480V, IDENTIFICATION =4A,
VGS =10V
16 OR
Qgs Charge de Porte-source 3,5
Qgd Charge de Porte-drain 7,1


 

 

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