|
| Nombre De Pièces: | 1 ensemble |
| Prix: | negotiable |
| Emballage Standard: | CARTON DU PE BAG+ |
| Période De Livraison: | 5-10 jours |
| Méthode De Paiement: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacité D'approvisionnement: | 1000sets/day |
Transistor MOSFET de puissance de JY14M N Channel Enhancement Mode pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY14M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●40V/200A, LE RDS (DESSUS) =2.5MΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Application de changement
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Limite | Unité | |
| VDS | Tension de Drain-source | 40 | V | |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 20 | V | |
| Identification | Drain continu Actuel |
Tc=25ºC | 200 | |
| Tc=100ºC | 130 | |||
| IDM | Courant pulsé de drain | 720 | ||
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 210 | W | |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme |
-55 à +175 | ºC | |
| RθJC | Résistance-jonction thermique à enfermer | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques | ||||||
| BVDSS | Drain-source Tension claque |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 40 | V | ||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état |
VGS =10V, IDENTIFICATION =60A | 2,5 | mΩ | ||
| gFS | En avant Transconductance |
VDS =20V, IDENTIFICATION =60A | 100 | S |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| VSD | Diode en avant Tension |
VGS =0V, ISD =100A | 1,2 | V | ||
| Trr | Temps de rétablissement inverse | ISD =100A di/dt=100A/us |
38 | NS | ||
| Qrr | Charge inverse de récupération | 58 | OR | |||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| RG | Résistance de porte | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
1,2 | Ω | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =20V, RG =6Ω, Identification =100A, VGS =10V, |
34 | NS | ||
| TR | Temps de montée d'ouverture | 22 | ||||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | 48 | ||||
| Tf | Temps d'arrêt d'automne | 60 | ||||
| CISS | Capacité d'entrée | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz |
5714 | PF | ||
| COSS | Capacité de sortie | 1460 | ||||
| CRSS | Transfert inverse Capacité |
600 | ||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS =30V, IDENTIFICATION =100A, VGS =10V |
160 | OR | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | 32 | ||||
| Qgd | Charge de Porte-drain | 58 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY14M
Vidéo
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| Nombre De Pièces: | 1 ensemble |
| Prix: | negotiable |
| Emballage Standard: | CARTON DU PE BAG+ |
| Période De Livraison: | 5-10 jours |
| Méthode De Paiement: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacité D'approvisionnement: | 1000sets/day |
Transistor MOSFET de puissance de JY14M N Channel Enhancement Mode pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY14M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●40V/200A, LE RDS (DESSUS) =2.5MΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Application de changement
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Limite | Unité | |
| VDS | Tension de Drain-source | 40 | V | |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 20 | V | |
| Identification | Drain continu Actuel |
Tc=25ºC | 200 | |
| Tc=100ºC | 130 | |||
| IDM | Courant pulsé de drain | 720 | ||
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 210 | W | |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme |
-55 à +175 | ºC | |
| RθJC | Résistance-jonction thermique à enfermer | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques | ||||||
| BVDSS | Drain-source Tension claque |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 40 | V | ||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état |
VGS =10V, IDENTIFICATION =60A | 2,5 | mΩ | ||
| gFS | En avant Transconductance |
VDS =20V, IDENTIFICATION =60A | 100 | S |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| VSD | Diode en avant Tension |
VGS =0V, ISD =100A | 1,2 | V | ||
| Trr | Temps de rétablissement inverse | ISD =100A di/dt=100A/us |
38 | NS | ||
| Qrr | Charge inverse de récupération | 58 | OR | |||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| RG | Résistance de porte | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
1,2 | Ω | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =20V, RG =6Ω, Identification =100A, VGS =10V, |
34 | NS | ||
| TR | Temps de montée d'ouverture | 22 | ||||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | 48 | ||||
| Tf | Temps d'arrêt d'automne | 60 | ||||
| CISS | Capacité d'entrée | VGS =0V, VDS =20V, f=1.0MHz |
5714 | PF | ||
| COSS | Capacité de sortie | 1460 | ||||
| CRSS | Transfert inverse Capacité |
600 | ||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS =30V, IDENTIFICATION =100A, VGS =10V |
160 | OR | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | 32 | ||||
| Qgd | Charge de Porte-drain | 58 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY14M
