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3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H

3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H

Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY12M
Tension de Drain-source:
30 V
tension de Porte-source:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
1.5W
Courant pulsé de drain:
30A
Application:
Convertisseur de DC/DC
Couleur:
NOIR
Mettre en évidence:

conducteur de transistor MOSFET de moteur de bldc

,

transistor MOSFET de conducteur de moteur de bldc de 3 phases

,

circuit de conducteur de transistor MOSFET pour le moteur de bldc

Description du produit

JY12M N et transistor MOSFET de la Manche 30V de P pour le conducteur de moteur de BLDC

 

 

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY12M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
sont produits utilisant la technologie élevée de fossé de la densité DMOS de cellules. Ceci à haute densité
le processus est particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état. Ces dispositifs sont
en particulier adapté à l'application de basse tension telle que le téléphone mobile et le carnet
gestion de puissance d'ordinateur et d'autres circuits à piles là où du côté haut
la commutation, et la basse perte de puissance intégrée sont nécessaires dans une surface très petite d'ensemble
paquet de bâti.


CARACTÉRISTIQUES

Dispositif LE RDS (DESSUS) MAX IDMAX (25ºC)
N-canal 20mΩ@VGS=10V 8.5A
32mΩ@VGS=4.5V 7.0A
P-canal 45mΩ@VGS=-10V -5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V -4.1A


●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide


APPLICATIONS
Gestion de puissance
●Convertisseur de DC/DC
●Contrôle de moteur de C.C
●Affichage à cristaux liquides TV et inverseur d'affichage de moniteur
●Inverseur de CCFL

 

Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Paramètre Symbole La Manche de N La Manche de P Unité
sec 10 Régulier sec 10 Régulier
Vidangez la tension de source VDSS 30 -30 V
Tension de source de porte VDSS ±20 ±20
Continu
Vidangez actuel
ºC Ta=25 Identification 8,5 6,5 -7,0 -5,3
ºC Ta=70 6,8 5,1 -5,5 -4,1
Courant pulsé de drain IDM 30 -30
Puissance maximum
Dissipation
ºC Ta=25 Palladium 1,5 W
ºC Ta=70 0,95
Jonction fonctionnante
La température
TJ -55 à 150 ºC
Résistance thermique
Jonction à ambiant
RθJA 61 100 62 103 ºC/W
Résistance thermique
Jonction à enfermer
RθJC 15 15 ºC/W


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Charge statique
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA N-ch 1,0 1,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA P-ch -1,0 -1,5 -3,0
IGSS Fuite de porte
Actuel
VDS =0V, VGS =±20V N-ch ±100 Na
P-ch ±100
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez actuel
VDS =30V, VGS =0V N-ch 1 uA
VDS =-30V, VGS =0V P-ch -1
IDENTIFICATION (DESSUS) Drain de Sur-état
Actuel
VDS ≥5V, VGS =10V N-ch 20
VDS ≤-5V, VGS =-10V P-ch -20
LE RDS (DESSUS) Drain-source
Sur-état
Résistance
VGS =10V, IDENTIFICATION =7.4A N-ch 15 20
VGS =-10V, IDENTIFICATION =-5.2A P-ch 38 45
VGS =4.5V, IDENTIFICATION =6.0A N-ch 23 32
VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-4.0A P-ch 65 85
VSD Diode en avant
Tension
EST =1.7A, VGS =0V N-ch 0,8 1,2 V
EST =-1.7A, VGS =0V P-ch -0,8 -1,2


3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H 0

 

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY12M

3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H 1JY12M.pdf

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3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H
Nombre De Pièces: 1 ensemble
Prix: negotiable
Emballage Standard: CARTON DU PE BAG+
Période De Livraison: 5-10 jours
Méthode De Paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité D'approvisionnement: 1000sets/day
Informations détaillées
Lieu d'origine
LA CHINE
Nom de marque
JUYI
Numéro de modèle
JY12M
Tension de Drain-source:
30 V
tension de Porte-source:
±20V
Dissipation de puissance maximum:
1.5W
Courant pulsé de drain:
30A
Application:
Convertisseur de DC/DC
Couleur:
NOIR
Quantité de commande min:
1 ensemble
Prix:
negotiable
Détails d'emballage:
CARTON DU PE BAG+
Délai de livraison:
5-10 jours
Conditions de paiement:
T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement:
1000sets/day
Mettre en évidence

conducteur de transistor MOSFET de moteur de bldc

,

transistor MOSFET de conducteur de moteur de bldc de 3 phases

,

circuit de conducteur de transistor MOSFET pour le moteur de bldc

Description du produit

JY12M N et transistor MOSFET de la Manche 30V de P pour le conducteur de moteur de BLDC

 

 

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY12M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
sont produits utilisant la technologie élevée de fossé de la densité DMOS de cellules. Ceci à haute densité
le processus est particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état. Ces dispositifs sont
en particulier adapté à l'application de basse tension telle que le téléphone mobile et le carnet
gestion de puissance d'ordinateur et d'autres circuits à piles là où du côté haut
la commutation, et la basse perte de puissance intégrée sont nécessaires dans une surface très petite d'ensemble
paquet de bâti.


CARACTÉRISTIQUES

Dispositif LE RDS (DESSUS) MAX IDMAX (25ºC)
N-canal 20mΩ@VGS=10V 8.5A
32mΩ@VGS=4.5V 7.0A
P-canal 45mΩ@VGS=-10V -5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V -4.1A


●Basse capacité d'entrée
●Vitesse de changement rapide


APPLICATIONS
Gestion de puissance
●Convertisseur de DC/DC
●Contrôle de moteur de C.C
●Affichage à cristaux liquides TV et inverseur d'affichage de moniteur
●Inverseur de CCFL

 

Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Paramètre Symbole La Manche de N La Manche de P Unité
sec 10 Régulier sec 10 Régulier
Vidangez la tension de source VDSS 30 -30 V
Tension de source de porte VDSS ±20 ±20
Continu
Vidangez actuel
ºC Ta=25 Identification 8,5 6,5 -7,0 -5,3
ºC Ta=70 6,8 5,1 -5,5 -4,1
Courant pulsé de drain IDM 30 -30
Puissance maximum
Dissipation
ºC Ta=25 Palladium 1,5 W
ºC Ta=70 0,95
Jonction fonctionnante
La température
TJ -55 à 150 ºC
Résistance thermique
Jonction à ambiant
RθJA 61 100 62 103 ºC/W
Résistance thermique
Jonction à enfermer
RθJC 15 15 ºC/W


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Charge statique
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA N-ch 1,0 1,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA P-ch -1,0 -1,5 -3,0
IGSS Fuite de porte
Actuel
VDS =0V, VGS =±20V N-ch ±100 Na
P-ch ±100
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez actuel
VDS =30V, VGS =0V N-ch 1 uA
VDS =-30V, VGS =0V P-ch -1
IDENTIFICATION (DESSUS) Drain de Sur-état
Actuel
VDS ≥5V, VGS =10V N-ch 20
VDS ≤-5V, VGS =-10V P-ch -20
LE RDS (DESSUS) Drain-source
Sur-état
Résistance
VGS =10V, IDENTIFICATION =7.4A N-ch 15 20
VGS =-10V, IDENTIFICATION =-5.2A P-ch 38 45
VGS =4.5V, IDENTIFICATION =6.0A N-ch 23 32
VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-4.0A P-ch 65 85
VSD Diode en avant
Tension
EST =1.7A, VGS =0V N-ch 0,8 1,2 V
EST =-1.7A, VGS =0V P-ch -0,8 -1,2


3 conducteur de transistor MOSFET de Bldc de montage en pont de la phase 30A H 0

 

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