|
| Nombre De Pièces: | 1 ensemble |
| Prix: | negotiable |
| Emballage Standard: | CARTON DU PE BAG+ |
| Période De Livraison: | 5-10 jours |
| Méthode De Paiement: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacité D'approvisionnement: | 1000sets/day |
Transistor MOSFET de puissance de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Application de changement
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Limite | Unité | |
| VDS | Tension de Drain-source | 100 | V | |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 20 | V | |
| Identification | Drain continu Actuel |
Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Courant pulsé de drain | 395 | ||
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 210 | W | |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme |
-55 à +175 | ºC | |
| RθJC | Résistance-jonction thermique à enfermer | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques | ||||||
| BVDSS | Drain-source Tension claque |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état |
VGS =10V, IDENTIFICATION =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | En avant Transconductance |
VDS =50V, IDENTIFICATION =40A | 100 | S |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY11M
Vidéo
Vidéo
Vidéo
Vidéo
|
|
| Nombre De Pièces: | 1 ensemble |
| Prix: | negotiable |
| Emballage Standard: | CARTON DU PE BAG+ |
| Période De Livraison: | 5-10 jours |
| Méthode De Paiement: | T/T, L/C, Paypal |
| Capacité D'approvisionnement: | 1000sets/day |
Transistor MOSFET de puissance de JY11M N Channel Enhancement Mode
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
●100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
●Commutation rapide et récupération inverse de corps
●A entièrement caractérisé la tension et le courant d'avalanche
●Excellent paquet pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
●Application de changement
●Circuits dur commutés et à haute fréquence
●Gestion de puissance pour des systèmes d'inverseur
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Limite | Unité | |
| VDS | Tension de Drain-source | 100 | V | |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 20 | V | |
| Identification | Drain continu Actuel |
Tc=25ºC | 110 | |
| Tc=100ºC | 82 | |||
| IDM | Courant pulsé de drain | 395 | ||
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 210 | W | |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme |
-55 à +175 | ºC | |
| RθJC | Résistance-jonction thermique à enfermer | 0,65 | ºC/W | |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques | ||||||
| BVDSS | Drain-source Tension claque |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 100 | V | ||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez actuel |
VDS =100V, VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel |
=± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état |
VGS =10V, IDENTIFICATION =40A | 6,5 | mΩ | ||
| gFS | En avant Transconductance |
VDS =50V, IDENTIFICATION =40A | 100 | S |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY11M
